一、光刻机“nm”的含义

光刻机多少nm，有两层含义：

光源波长：光刻机使用的曝光光源波长是多少，比如 g线光刻（436 nm）、i线光刻（365 nm）、KrF光刻（248 nm）、ArF光刻（193 nm）、EUV光刻（13.5 nm）。

支持的制程节点：光刻机通过光源、透镜和工艺优化后，能实现的最小特征尺寸是多少，即芯片制程工艺节点，比如 90 nm、28 nm、7 nm、3 nm。

需要注意：光刻机波长并不等于芯片工艺节点。例如，193 nm 的 ArF 浸没式光刻机，配合多重图形化技术（多重曝光、双重图形化、EUV 辅助等），依然能支持 7 nm 工艺。

二、光刻机主流波长与对应水平

g线（436 nm）、i线（365 nm）光刻机

主要用于早期工艺（> 250 nm）。

现在仍用于部分 MEMS、LCD、LED 等领域。

KrF光刻机（248 nm）

可实现约 130 nm~90 nm 工艺节点。

在2000年代初期大量使用，现在用于一些成熟工艺和功率器件生产。

ArF干式光刻机（193 nm）

支持 90 nm~65 nm 工艺。

成熟工艺产线仍有需求。

ArF浸没式光刻机（193 nm Immersion）

通过液体折射率提高数值孔径（NA），分辨率大幅提升。

可直接支持 45 nm、32 nm 工艺，结合 双重图形化、多重图形化 技术，延伸到 14 nm、10 nm，甚至 7 nm。

这就是为什么即便 EUV 稀缺，DUV 光刻机仍能在先进工艺中被大量使用。

极紫外光刻机（EUV, 13.5 nm）

分辨率大幅提升，可直接支持 7 nm 及以下工艺。

已经用于 7 nm、5 nm、3 nm 节点的量产。

目前由荷兰 ASML 独家供应，型号如 NXE:3400C/D、NXE:3600D、NXE:3800E。

高数值孔径EUV（High-NA EUV, 13.5 nm, NA=0.55）

仍使用 13.5 nm 光源，但通过更大数值孔径，实现更高分辨率。

可支持 2 nm、1.4 nm 节点的研发和生产。

ASML 已经交付首台 EXE:5000 给英特尔，预计 2026 年进入量产。

三、光刻机与芯片“nm”节点的关系

90 nm~65 nm：ArF干式光刻机即可完成。

45 nm~32 nm：ArF浸没式光刻机成为主力。

28 nm~14 nm：依靠 ArF 浸没式 + 多重曝光实现。

10 nm~7 nm：DUV 已经到极限，必须引入 EUV 光刻机。

5 nm~3 nm：EUV 光刻机全面应用，成为核心工具。

2 nm~1.4 nm（研发中）：需要 High-NA EUV。

四、目前光刻机的最高水平

截至 2025 年：

DUV 光刻机：最先进的 ArF 浸没式光刻机仍在量产，应用广泛，支持至 7 nm（多重图形化）。

EUV 光刻机：已实现 7 nm、5 nm、3 nm 量产。ASML 最新的 NXE:3800E 可实现更高产能与精度，已交付台积电、三星、英特尔。

High-NA EUV 光刻机：首台 EXE:5000 已交付，用于 2 nm 以下技术研发，预计 2026~2027 年实现规模量产。

五、总结

光刻机到底多少nm，可以分为三个层次：

波长层面：

DUV：193 nm（主流）

EUV：13.5 nm（先进制程）

High-NA EUV：13.5 nm（更高NA，分辨率更高）

制程节点层面：

DUV 可支持 90 nm~7 nm（配合多重图形化）

EUV 支持 7 nm~3 nm

High-NA EUV 将支持 2 nm~1.4 nm

行业现状：

成熟工艺（28 nm 以上）主要靠 DUV。

先进工艺（7 nm 以下）必须依赖 EUV。

未来工艺（2 nm 以下）将依赖 High-NA EUV。

因此，光刻机“多少nm”不是单一数值，而是一个 波长—制程—技术的对应关系。目前最高水平是 EUV 光刻机可用于 3 nm 量产，High-NA EUV 正向 2 nm 发展。