光刻机是半导体制造中的核心设备，其主要作用是将微型电路图案精确地转移到硅片上。随着集成电路工艺从微米级向纳米级发展，光刻机的型号和分类也越来越复杂，不同型号的光刻机在分辨率、光源类型、曝光方式和应用场景上存在显著差异。

一、按光源分类的型号

光刻机可以根据所使用的光源波长进行分类，这是最基础的型号划分方式：

i线光刻机（365nm）

波长最长，技术成熟，主要用于传统90nm以上的工艺制程。

代表型号：尼康 NSR-S203B、佳能 FPA-3000i3。

应用场景：功率半导体、模拟芯片以及一些成熟工艺节点。

KrF光刻机（248nm）

使用氪氟（KrF）激光作为光源，分辨率高于i线光刻机，可支持65nm至90nm工艺。

代表型号：ASML PAS 5500/1100、尼康 NSR-S204B。

应用场景：DRAM、Flash等存储芯片制造。

ArF光刻机（193nm）

分为干法和浸没式两类，其中浸没式ArF光刻机能达到20nm左右的制程精度。

代表型号：ASML XT:1900、尼康 NSR-S631E。

应用场景：高端逻辑芯片、存储芯片，广泛应用于28nm、14nm及7nm工艺。

EUV光刻机（13.5nm）

使用极紫外光（Extreme Ultraviolet, EUV）技术，是目前最先进的光刻技术。

代表型号：ASML NXE:3400C、NXE:3400B。

应用场景：5nm、3nm甚至更先进的芯片制造，是先进制程的关键设备。

二、按曝光方式分类的型号

光刻机还可以根据曝光方式进行划分：

步进式光刻机（Stepper）

按“逐步曝光”方式进行图案转移，每次只曝光硅片的一小块区域。

代表型号：ASML PAS 5500系列、尼康 NSR-S203B。

优点：精度高，适合先进制程。

扫描式光刻机（Scanner）

曝光过程中光罩与硅片同步扫描，通过移动实现大面积曝光。

代表型号：ASML XT:1900、NXE系列EUV光刻机。

优点：可以在保持高分辨率的同时实现大硅片面积曝光，是现代高端芯片生产主流。

直接写入光刻机（E-beam / Direct Write）

不使用掩模，而是直接用电子束绘制图案。

代表型号：Raith EBPG、Vistec EB光刻机。

优点：适合掩模制作和科研小批量芯片开发，分辨率极高但速度较慢。

三、按制造商与型号系列

全球光刻机市场高度集中，主要厂商及其代表型号如下：

荷兰ASML

主导全球高端光刻市场，尤其是EUV光刻机领域几乎独占。

代表型号：

DUV浸没式：XT:1900i、XT:1950i

EUV：NXE:3400B、NXE:3400C、NXE:3600D

特点：分辨率高，自动化程度高，适合最先进工艺。

日本尼康（Nikon）

主打中端DUV光刻机市场，适合成熟工艺节点。

代表型号：NSR-S630、NSR-S631E、NSR-S620D

特点：设备可靠性高，适合28nm及以上制程。

日本佳能（Canon）

提供DUV和i线光刻机，适合成熟节点和科研应用。

代表型号：FPA-3000i3、FPA-5550i3

特点：价格相对低廉，适合中低端芯片生产。

四、按应用工艺节点划分

光刻机型号还可以根据其支持的芯片制程节点进行分类，这有助于生产规划和设备选型：

成熟工艺节点光刻机

工艺节点：90nm、65nm、45nm

光源：i线、KrF

应用：功率器件、车规芯片、存储芯片

先进工艺节点光刻机

工艺节点：28nm、14nm、7nm

光源：浸没式ArF

应用：高性能CPU、GPU、FPGA芯片

顶尖工艺节点光刻机

工艺节点：5nm、3nm及以下

光源：EUV

应用：最先进逻辑芯片、AI芯片、量子芯片实验

五、总结

光刻机型号繁多，但可以通过光源类型、曝光方式、制造商和应用工艺节点进行系统分类。i线、KrF、ArF和EUV分别代表从成熟节点到顶尖节点的技术演进；Stepper和Scanner分别代表不同的曝光方式；而制造商如ASML、尼康和佳能则各自占据不同市场层次。