光刻机“缩短线程”通常指的是在光刻机的曝光和扫描过程中，通过优化光学路径、光束传输和晶圆扫描机制，实现更高效率的曝光，同时保持高分辨率和成像精度。

首先，从光学成像角度看，缩短光刻机线程涉及减少光学传输时间和优化曝光区域。传统光刻机采用步进曝光，每次曝光需要将晶圆移动到目标区域，停止，曝光，再移动下一块区域。步进和停止的机械延迟会占据整体曝光时间的很大一部分。为了缩短这一时间，高端光刻机采用扫描式曝光（scanner）技术，掩模和晶圆同时沿扫描方向移动，光束通过狭缝逐行照射晶圆表面。这种方式避免了重复启动和停止动作，极大提高了单位时间内曝光面积，从而“缩短光刻线程”。

其次，光源系统的设计是关键因素。高功率、稳定的激光光源可以在短时间内提供足够的曝光能量，使光刻胶迅速反应。现代光刻机使用193nm深紫外准分子激光（ArF）或13.5nm极紫外（EUV）光源，其脉冲宽度极短、重复频率高，通过高亮度和均匀光斑实现快速曝光。光束均匀性和稳定性越高，单次曝光所需时间越短，从而减少整体曝光线程时间。

第三，投影光学系统的设计也直接影响光刻机的曝光效率。高数值孔径（NA）的物镜可以在较短焦深下实现更高分辨率，但也对焦平面控制提出了要求。为缩短光刻线程，现代光刻机采用大视场投影和多光斑曝光，在单次扫描中覆盖更大晶圆面积，同时保持图形清晰和均匀。光学整形元件和积分棒等技术进一步保证光斑均匀，使曝光时间最短化而不会牺牲分辨率。

晶圆台和掩模台的高速精密运动也是缩短光刻机线程的核心原理之一。通过气浮或磁浮平台、闭环激光干涉仪测量、快速驱动控制，晶圆可以在扫描曝光过程中保持纳米级对位精度，同时大幅减少机械移动延迟。现代系统还引入多自由度运动控制和预测性扫描算法，使晶圆台运动与光束扫描高度同步，减少空转时间，缩短总曝光周期。

对准系统也是缩短线程的重要环节。在多层叠加光刻中，传统对准需要暂停扫描，测量对准标记，再调整晶圆位置。高端光刻机通过实时光学对准和算法补偿，在扫描过程中动态修正位置误差，实现“边扫描边对准”，大幅缩短光刻周期。结合计算光刻（Computational Lithography）技术，掩模图形经过预补偿，可减少曝光后的再修正步骤，提高整个生产流程的时间效率。

环境控制和光刻胶特性也影响光刻线程。高精度恒温恒湿、低振动环境保证曝光时晶圆台稳定，减少重复曝光或重新对焦时间；光刻胶快速反应和均匀涂布则减少等待化学反应完成的时间，从而缩短整体光刻循环。

综上所述，光刻机缩短线程的原理可以概括为：通过扫描式曝光替代步进式曝光、使用高功率稳定光源、优化投影光学大视场成像、提高晶圆台和掩模台高速精密同步、实时动态对准与算法补偿，以及优化环境与光刻胶反应速度，实现单位晶圆面积的曝光时间最短化。