“紫光光刻机”并不是一个严格的国际通用技术名称，它通常是对使用紫外波段光源进行光刻的光刻机的通俗称呼。

光刻的本质，是利用光学成像把掩模版上的图形精确复制到涂覆了光刻胶的晶圆表面。紫光光刻机使用的“紫光”，指的是波长比可见光更短的紫外光。常见的紫外光刻波长包括365纳米、248纳米和193纳米等。波长越短，光的衍射效应越弱，理论上可实现的最小线宽就越小，这是紫光光刻优于可见光光刻的根本原因。

在工作流程上，紫光光刻机首先通过稳定的紫外光源产生高强度、窄谱宽的光。早期系统多使用汞灯作为光源，发出特定谱线的紫外光；随着制程要求提高，更先进的紫光光刻机采用准分子激光作为光源，如KrF或ArF激光。这些光源能够提供高重复频率、能量稳定的紫外光，为高分辨率曝光提供基础条件。

紫外光在进入成像系统前，会经过一整套照明光学系统。这一部分的作用，是把光源输出的光整形成均匀、可控的照明光斑，保证掩模版上的每一个区域都获得一致的曝光能量。照明方式的设计，直接影响图形边缘的清晰度和线宽控制能力，是紫光光刻机原理中的重要一环。

经过照明系统处理后的紫外光照射到掩模版上。掩模版上刻有需要转移到晶圆上的电路图形，紫外光通过透明区域，受到遮挡区域的限制，形成携带图形信息的光场。随后，这一光场进入投影物镜系统，被缩小并精确成像到晶圆表面的光刻胶上。

投影物镜是紫光光刻机中最核心、也是最复杂的部件之一。紫外波段对材料吸收和色散极为敏感，因此物镜通常采用高纯度石英或氟化物材料制成，并经过极其精密的研磨和装调。其任务是在尽可能减少像差的前提下，把掩模图形以极高的精度投影到晶圆上，这一过程决定了最终图形的分辨率和一致性。

当紫外光照射到光刻胶时，光刻胶中的光敏分子会发生化学反应。这种反应改变了光刻胶在显影液中的溶解特性，从而在显影后形成与掩模图形对应的结构。紫光光刻机并不直接“刻”出电路，而是通过光化学反应，为后续的刻蚀、离子注入或沉积工艺提供精确的图形模板。

从物理本质上看，紫光光刻机的分辨能力受制于光的衍射极限。为了在有限波长下进一步提升分辨率，紫光光刻机引入了多种增强技术，如优化数值孔径、使用沉浸式曝光、采用复杂的光学相位调制等。这些技术都建立在紫外光刻基本原理之上，是对其能力边界的工程拓展。

在应用层面，紫光光刻机广泛用于集成电路、MEMS器件、光电子器件以及科研微纳加工中。相较于EUV光刻，紫光光刻机技术成熟、工艺稳定、成本相对可控，仍然是当前半导体制造体系中不可或缺的重要设备。

总体而言，紫光光刻机的原理并不在于“神秘的紫光”，而在于利用短波长紫外光的成像优势，通过高度精密的光学系统和光化学过程，实现微米乃至纳米级图形的可控转移。